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20241004 策略影响3-5年后 看PSMC与日本SBI控股合作案4
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FCG福韬略国际谘询有限公司 302新竹县竹北市复兴二路229号7F-1&7-6(双翼大楼)
川普再控台湾偷走美国晶片 曹兴诚怒反击了 记者胡郁欣.20260520综合报导  [NOWNEWS今日新闻] 美国总统川普日前接受《Fox News》专访再度指控台湾偷走美国的半导体产业,而这已不是川普提出如此论调。对此,联电创办人曹兴诚今(20)日重话抨击台湾政府和台积电,质疑他们至今对於的指控全无澄清,失职、失能极其严重,他更要求行政院应召开国际记者会澄清,以正视听。曹兴诚也还原台湾晶片产业历史,直言或许台积电当年「化公为私」有争议,所以才闭口不谈技术来源。  曹兴诚:台湾半导体技术是付钱向美国买下的 曹兴诚今发文指出,台湾的半导体技术当初是向美国购买的。双方於 1976 年 3 月 5 日,由工业技术研究院(工研院)代表台湾与美国 RCA 公司正式签署合约,合约为期 10 年。合约金额为 350 万美元,分为2部分:技术移转费 250 万美元和技术授权金 100 万美元。 在当时台湾国民平均年所得不到 400 美元的年代,这是一笔极为庞大的国家赌注。政府当年为整个「积体电路计画」编列了约 1,000 万美元(约合当时新台币 4 亿元)的专案预算,除了支付给 RCA 的 350 万美元技术费用外,其余资金则用於兴建台湾第一座 3 寸晶圆「示范工厂」,以及分批派遣年轻工程师(包括我,史钦泰、曾繁城、刘英达、蔡明介等20余人)前往美国 RCA 总部接受实地培训。 曹兴城说,台湾 1976 年向 RCA 购买的是 7 微米的 CMOS 技术,而当时美国尖端技术是 3.5 微米的 NMOS 技术。我们所以选择 CMOS ,一是因爲购买 CMOS 技术的费用便宜,二是 CMOS 较省电,适合用於低阶消费性产品,可以配合台湾消费电子业的发展。 3 寸晶圆厂和 7 微米技术可说非常低微的起步。但工研院电子所的这座「示范工厂」示范得相当成功,於是政府决定,由电子所技术移转给 1980 年成立的联华电子公司,另行建立 4 寸晶圆厂,以走向民间和商业化。为了支付工研院的技术移转,联电成立时免费给了经济部 15% 的技术股。 曹兴诚:台积电闭口不谈技术来源有原因 当年「化公为私」引质疑 曹兴诚提到,接著,联华电子公司他的带领下,於 1983 年就创造了每股近 7 元的净利,并在 1985 年成功上市。受到联电成功的激励,1983 年,政府决定在工研院内,再建一座 3 微米技术的 6 寸晶圆示范工厂。投入了经费约 1 亿美元,花费 4 年,研发完成了 3 微米技术同时培养出了约 400 名工程师。 1987 年,这些工程师全数「转进」新成立的「台湾积体电路公司(台积电)」,并回头「租用」该示范工厂,让台积电成立的第一天就拥有了 3 微米的进步技术和崭新的可以商业化的工厂。 曹兴诚补充表示,台积电租用工研院「示范工厂」的费用极为低廉,每年仅 200 万美金,事先还由经济部支付给台积电 700 万美元当成「研发费用」,等於让台积电无偿使用「示范工厂」 3 年半,这就是台积电业务一开始就能顺利起飞的原因。台积电以这样的方式「取得」了 3 微米技术和工厂,而当时张忠谋先生同时兼任工研院和台积电的董事长,当然有「化公为私」的争议,而曹兴诚当年就公开提出质疑,要求联电可以参与「租用」的比价竞争;结果遭到政府打压,还差点因此被联电董事会解聘。 曹兴诚认为,或许因为如此,台积电对於其技术来源始终避而不谈,面对美国一再侮辱台湾偷窃美国技术,台积电也默不作声。 川普一再指控 曹兴诚要行政院开国际记者会澄清 面对川普论调,曹兴诚怒批,川普一再指责台湾偷窃美国半导体技术,后果相当严重。除了外交上的不友善,川普也以此为藉口,逼迫台湾去美国设厂,以求拆除台湾的「矽盾」。台湾不宜再闷著头挨骂,不敢辩驳。因此,他要强烈建议行政院、工研院、台积电,针对台湾半导体技术的来源和多年来台湾不断投入巨额资源、艰苦研发的经过,召开国际记者会详细说明,以正国际视听。{本社 公关部20260520} https://www.fcg899.com/cn/hot_534211.html 20260520 川普再控台湾偷走美国晶片 曹兴诚怒反击 2026-05-20 2027-05-20
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策略影响3-5年 看PSMC与日本SBI控股合作案
2024 10/4 本社研究部

    本社对产业的研究及了解,对这个案子一直很关注;FCG对台日的合作特别关心.
对此重要案件,我们自己也提出几个有趣问题~
1.PSMC黄董与日本的合作很久,也非常有经验.如三菱,瑞萨-Sharp,尔必达等.
2.PSMC与SBI的合作也不是第一桩.
3.日本出钱又提供市场,日本也是重承诺,重信用的国家.
4.印度抢婚的影响?
5.对台湾上市公司治理及财务考量?

    不过,不论有多少的疑问,一家公司的策略影响长期的,这是最大的问题.
对黄董-谢副董-朱总都是经营及内心下一波的冲击.
市场及客户也会直接再受影响.

(本社研究部10/04)

力积电仙台厂生变!日本SBI控股突声明「解除合作」,力积电深夜回应

2024.09.27|半导体与电子产业

(9/27 23:00更新力积电声明) 晶圆代工厂力积电(力晶积成电子制造,PSMC) 9月26日刚宣布与印度塔塔电子合作设全印度第一座12寸晶圆厂。然而,27日却传出与日本SBI控股(SBI Holdings)在宫城县仙台建晶圆厂的合作案生变。

《日本经济新闻》报导,日本SBI控股公司决定解除与力晶电签订的半导体制造合作, 主要因为力积电由於业绩恶化,告知SBI控股无法承担该业务的风险。SBI控股表示,会持续在宫城县建设半导体工厂,将寻找新的合作伙伴。

2023年成立合资公司并宣布建厂,原订投资8000亿日圆

《日本经济新闻》指出,SBI控股於20238月与力积电成立合资公司,并於当年10月宣布在宫城县建设半导体工厂的计划,计画在2027年量产车用半导体,总投资额预估约8,000亿日圆,而在初期投资阶段,政府预计提供最高1,400亿日圆的补助。

根据SBI控股发布的声明SBI控股与力积电於202375日达成基本协议,决定在日本设立半导体工厂的准备公司,并计划最终成立合资企业;随后,SBI集团全额出资设立了JSMC株式会社,当年10月决定了工厂建设地点,并於1031日与力积电、JSMC及宫城县签订基本协议,前提是获得政府的补助金,以进行工厂建设。

SBI控股指出,根据与力积电签订的基本协议,该公司进行了「工厂选址支援」、「政府补助金谈判支援」、「资金筹措计划」等工作。 「然而,力积电通知本公司,由於难以继续推动日本国内的半导体制造业务,决定终止该计划。」

SBI控股并提到,原本计划以力积电的技术移转及其代工经验为基础,推动JSMC的半导体制造业务。但在收到力积电的通知后,经过深思熟虑,决定无法继续与力积电合作进行该项目。

SBI控股维持在宫城建厂计画,将另寻伙伴

尽管和力积电的合作终止,但SBI控股决定继续与多家潜在事业合作伙伴商讨,计划在宫城县推动晶圆制造厂及后端制程加工厂、生成式AI资料中心等多项事业, 「因为半导体事业对日本经济及制造业有著极大的社会意义,因此将继续从多方面拓展该业务。」

SBI控股并举例近期在半导体和AI方面的其他合作案,包括今年5月与从事半导体与电子零件销售及技术支援的Lester株式会社,达成资本业务合作;8月与开发AI技术解决方案与AI半导体的Preferred Networks株式会社,签订了次世代AI半导体开发及商业化的合作协议,持续扩大半导体业务的联盟。

SBI控股的声明最后提到,「尽管与力积电的合作解除令人遗憾,但本公司将努力推动更大规模的半导体相关事业。
具体事项将在与合作伙伴确认后公布。」

力积电声明:关於力积电与SBI合作建厂
1. 此案为Fab IP模式,力积电提供建厂顾问、人员培训以及技术移转,并向合作方日商收取服务费、
权利金。力积电并无入股主导新厂营运的规划
2. SBI方面向日本经产省申请设厂补贴,并获日本政府支持。然而经产省补贴政策规定,获得补贴的厂商需保证新厂必需连续量产十年以上,由於金融业出身的SBI方面并无半导体产业经验,经产省要求力积电必需共同承担保证责任
3. 力积电为台湾股票上市公司,为没有主导性持股的日本新厂保证营运,将违法我国证券交易法,因此力积电董事会已於月前董事会确认停止日本新厂合作计画,并派员前往经产省当面向主管官员说明,亦已发函告知SBI此讯息
4. 由於此案纯属收费服务、技转的Fab IP模式,力积电终止与日本合作方筹设新厂,与力积电本身盈亏无因果关系.
(本社研究部20241004)